CIS-Zellen

Bei CIS-Zellen handelt es sich um Dünnschichtzellen, die aus den Elementen Kupfer, Schwefel, Indium, Gallium oder Selen hergestellt werden. Eine typische Halbleiterverbindung von CIS-Zellen ist Kupfer-Indium-Diselenid (CuInSe2).

Bei CIS-Zellen wird das Halbleitermaterial durch Zerstäuben auf das Trägermaterial aufgebracht. Bei der Beschichtung von Glas oder Kunststofffolien mit dem Halbleiter erfolgt quasi gleichzeitig die Dotierung (Einbringen von Atomen in eine Schicht).

Eine CIS-Zelle ist von oben nach unten wie folgt aufgebaut:

  • Trägerschicht (Glas, Edelstahl oder Kunststoff)
  • Rückkontakt (Molybdänschicht)
  • Absorberschicht (CuInSe2) (p-leitend)
  • Pufferschicht (Cadmiumsulfid oder nicht-dotiertes Zinkoxid oder Magnesiumoxid)
  • Frontkontakt Aluminium-Zinkoxid (AZO) (n-leitend)

 

CIS-Zellen verfügen über eine hohe Lichtabsorptionsfähigkeit. Der maximal drei Mikrometer dicke Aufbau der CIS-Zelle macht diese besonders für leichte und flexible Anwendungen interessant. CIS-Zellen werden häufig bei Taschenrechnern oder Rolladenantrieben eingesetzt, aber auch in grossen Grössen als komplettes Modul. Aufgrund ihres geringen Gewichts eignen sie sich auch für Anwendungen an Fassaden.

 

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